FX20K120

更新时间： 2024-11-19 10:27:11

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德欧泰克 - DIOTEC		瞬态抑制器二极管 IOT 局域网
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描述
Protectifiers - LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection

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FX20K120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	130 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.82 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	最大非重复峰值正向电流：	715 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	12 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	最大反向恢复时间：	0.3 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FX20K120 数据手册

FX20K120

Protectifiers^®– LowV_F-Rectifier with Overvoltage Protection

Protectifiers^®– LowV_F-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz

Version 2010-06-23

Nominal current

Nennstrom

20 A

120 V

Stand off voltage

Sperrspannung

Ø 8^±0.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Ø 8 x 7.5 [mm]

2.0 g

Weight approx.

Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 1.6^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Low forward losses, high reverse pulse power capability

Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit

Maximum ratings and Charactistics (T_J= 25°C)

Grenz- und Kennwerte (T_J= 25°C)

Type

Typ

Stand-off voltage Max. rev. current

Breakdown voltage

Abbruch-Spannung

Forward voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V] ¹)

Sperrspannung

Max. Sperrstrom

at/bei V_WM

V_WM[V]

120

I_D[µA]

V_{BR min}[V]

130

@ I_T[mA]

I_F= 5A

< 0.82

I_F= 20A

< 0.94

FX20K120

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50°C

I_FAV

P_tot

I_FRM

I_FSM

i²t

20 A ²)

Total steady state power dissipation

Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb

T_A= 50°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

12 W

80 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

375/390 A

680 A²s

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

T_j

-50...+175°C

+200°C

in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

-50...+175°C

T_j= 25°C

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FX20K120_13	DIOTEC	获取价格	Protectifiers - LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection
FX20K120_15	DIOTEC	获取价格	Rectifier with Overvoltage Protection
FX20K150	DIOTEC	获取价格	Rectifier with Overvoltage Protection
FX20KM-03	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FX20KM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| SOT-186
FX20KM-06	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FX20KM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| SOT-186
FX20KM3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| SOT-186
FX20KM-3	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide
FX20KMH03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| SOT-186

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