Datasheet > FX20ASJ-03F

FX20ASJ-03F

更新时间： 2024-11-19 07:00:43

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关
页数	文件大小	规格书
4页	79K
描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FX20ASJ-03F 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FX20ASJ-03F 数据手册

FX20ASJ-03F

High-Speed Switching Use

Pch Power MOS FET

REJ03G0248-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 4 V

V_DSS: – 30 V

_{DS(ON) (max)}: 0.12 Ω

I_D: – 20 A

Outline

MP-3A

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

2, 4

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

–30

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

–20

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

I_DM

– 40

I_DA

–5

L = 10 µH

I_S

–20

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

– 40

P_D

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

0.32

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 3

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与FX20ASJ-03F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FX20ASJ-03F-T13	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX20ASJ06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-252AA
FX20ASJ-06	POWEREX	获取价格	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX20ASJ-06	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX20ASJ-06	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX20ASJ-06-T13	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX20ASJ-06-T23	RENESAS	获取价格	20A, 60V, 0.166ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-3A, SC-63, 3 PIN
FX20ASJ2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-252AA
FX20ASJ-2	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX20ASJ-2	POWEREX	获取价格	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE