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FTZ30E

更新时间: 2024-11-05 10:25:59
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罗姆 - ROHM 二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 147K
描述
ESD Protection diode

FTZ30E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SC-74A包装说明:R-PDSO-G5
针数:5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G5JESD-609代码:e1
元件数量:4端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:30 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1.52%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

FTZ30E 数据手册

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FTZ30E  
Diodes  
ESD Protection diode  
FTZ30E  
zApplications  
Voltage regulation  
zLand size figure(Unit : mm)  
zDimensions (Unit : mm)  
㪇㪅㪏㪤㪠㪥㪅  
(Common anode dual chips)  
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Each lead has same dimension  
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zFeatures  
1) Small mold type. (SMD5)  
2) High reliability  
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zConstruction  
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zStructure  
Silicon epitaxial planer  
r
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zTaping dimensions (Unit : mm)  
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zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Power dissipation (*1)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
200  
Symbol  
P
Unit  
mW  
150  
-55 to +150  
Tj  
Tstg  
(*1) Total of 4 elements  
zElectrical characteristic (Ta=25qC, Rating of per diode)  
Parameter  
Zener voltage  
Conditions  
Symbol  
VZ  
Min.  
Typ.  
Max.  
30.09  
0.5  
Unit  
V
29.19  
-
-
-
IZ=5mA  
Reverse current  
-
-
μA  
㪩  
VR=23V  
Iz=5mA  
ZZ  
Operating resistance  
200  
+Zener voltage is measured with 40m current supply.  
1/2  

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