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FTZ4.3ET148

更新时间: 2024-11-05 14:50:23
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罗姆 - ROHM 局域网测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 320K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional

FTZ4.3ET148 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SOT-25, SC-74, 5 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.75其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:4.57 V最小击穿电压:4.04 V
击穿电压标称值:4.3 V配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G5JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:4
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W最大重复峰值反向电压:1 V
最大反向电流:5 µA反向测试电压:1 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

FTZ4.3ET148 数据手册

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FTZ4.3E  
Diodes  
ESD Protection diode  
FTZ4.3E  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
ESD Protection  
㪇㪅㪏㪤㪠㪥㪅  
(common anode configuration)  
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Each lead has same dimension  
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zFeatures  
1) Small mold type. (UMD3)  
2) High reliability  
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zConstruction  
zStructure  
Silicon epitaxial planar  
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zTaping dimensions (Unit : mm)  
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㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪊㪅㪉㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪊㪌㫧㪇㪅㪈  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
P(  
Unit  
mW  
Power dissipation ( 1)  
200  
150  
)
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
-55 to +150  
(
) Rating of per diode  
zElectrical characteristic (Ta=25qC)! (ꢀꢁPer chip)  
Parameter  
Zener voltage  
Conditions  
IZ=5mA  
Symbol  
VZ  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
4.04  
-
-
-
4.57  
5.0  
V
Reverse current  
-
-
μA  
㪩  
VR=1.0V  
Iz=5mA  
ZZ  
Operating resistance  
100  
Zener voltage is measured with 40msec current supply  
1/2  

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