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FTZ6.8ET148

更新时间: 2024-11-05 19:51:59
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罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 321K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 4.8%, 0.2W, Silicon, Unidirectional,

FTZ6.8ET148 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G5
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.73其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:7.14 V最小击穿电压:6.47 V
击穿电压标称值:6.8 V配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G5JESD-609代码:e1
元件数量:4端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:3.5 V
最大反向电流:0.5 µA反向测试电压:3.5 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

FTZ6.8ET148 数据手册

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FTZ6.8E  
Diodes  
Zener diode  
FTZ6.8E  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
㪇㪅㪏㪤㪠㪥㪅  
(Anode common twin type)  
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Each lead has same dimension  
ޓ
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㪇㪅㪍  
zFeatures  
1) Small mold type. (SMD5)  
2) High reliability.  
ꢃ㨪ꢃꢁꢅ  
㪇㪅㪐㪌 㪇㪅㪐㪌  
㪈㪅㪐  
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㪪㪤㪛㪌  
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ꢌꢌꢌꢌꢌꢃꢁꢅ  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪪㪤㪛㪌  
㪡㪜㪠㪫㪘㩷㪑㩷㪪㪚㪄㪎㪋㪘  
㫎㪼㪼㫂㩷㪺㫆㪻㪼  
zTaping specifications (Unit : mm)  
㱢㪈㪅㪌㫧㪇㪅㪈  
䇭䇭䇭䇭䇭㩷㩷㪇  
㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌  
㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪇㪅㪊㫧㪇㪅㪈  
㱢㪈㪅㪇㪤㪠㪥  
㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪊㪅㪉㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪊㪌㫧㪇㪅㪈  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
P()  
Tj  
Unit  
Power dissipation (*1)  
Junction temperature  
Storage temperature  
200  
150  
-55 to +150  
mW  
Tstg  
() Total of 4 elements  
zElectrical characteristics (Ta=25qC ) (ꢀꢁPer chip)  
Parameter  
Conditions  
IZ=5mA  
Symbol  
VZ  
Min.  
Typ.  
Max.  
7.14  
0.5  
Unit  
V
Zener voltage  
6.47  
-
-
-
-
Reverse current  
㪩  
ZZ  
-
-
-
μA  
VR=3.5V  
Iz=5mA  
Operating resistance  
Rising operating resistance  
40  
Iz=0.5mA  
Z䌺㫂  
60  
΀Zener voltage is measured with 40msec current supply.  
Rev.A  
1/2  

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FTZ6.8E ROHM

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