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FTZU6.2EFH

更新时间: 2024-11-05 17:40:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 651K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SMD5, SC-74A, 5 PIN

FTZU6.2EFH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.77其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G5
元件数量:4端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W参考标准:AEC-Q101
标称参考电压:6.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:4.84%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

FTZU6.2EFH 数据手册

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FTZU6.2EFH  
Diodes  
AEC-Q101 Qualified  
ESD Protection diode  
FTZU6.2EFH  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
ESD Protection  
㪇㪅㪏㪤㪠㪥㪅  
(Anode common twin type)  
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Each lead has same dimension  
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zFeatures  
1) Small mold type. (SMD5)  
2) High reliability  
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zConstruction  
zStructure  
Silicon epitaxial planar  
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㪡㪜㪠㪫㪘㩷㪑㩷㪪㪚㪄㪎㪋㪘  
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zTaping dimensions (Unit : mm)  
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䇭䇭䇭䇭䇭㩷㩷㪇  
㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌  
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㱢㪈㪅㪇㪤㪠㪥  
㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪊㪅㪉㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪊㪌㫧㪇㪅㪈  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Limits  
200  
150  
Symbol  
Unit  
mW  
Power dissipation (*1ͅ  
Junction temperature  
Storage temperature  
P()  
Tj  
-55 to +150  
Tstg  
㩿㶎㪀㪫㫆㫋㪸㫃㩷㫆㪽㩷㪋㩷㪼㫃㪼㫄㪼㫅㫋㫊  
zElectrical characteristic (Ta=25qC)! (Rating of per diode)  
Parameter  
Conditions  
IZ=5mA  
Symbol  
VZ  
Min.  
Typ.  
Max.  
6.50  
3.00  
60  
Unit  
V
Zener voltage  
5.90  
-
-
Reverse current  
㪩  
ZZ  
-
-
-
-
μA  
VR=5.5V  
Iz=5mA  
Dynamic impedance  
Zener voltage  
-
IZ=0.5mA  
Zzk  
Ct  
-
100  
-
Capacitance between terminals  
8
pF  
f=1MHz VR=0V  
Zener voltage is measured with 40msec current supply  
1/2  

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