FTZ30EFH

更新时间： 2024-11-01 13:00:19

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罗姆 - ROHM		二极管齐纳二极管测试光电二极管
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FTZ30EFH 数据手册

FTZ30E

Diodes

ESD Protection diode

FTZ30E

zApplications

Voltage regulation

zLand size figure(Unit : mm)

zDimensions (Unit : mm)

㪇㪅㪏㪤㪠㪥㪅

(Common anode dual chips)

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Each lead has same dimension

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zFeatures

1) Small mold type. (SMD5)

2) High reliability

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zConstruction

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zStructure

Silicon epitaxial planer

㩷

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zTaping dimensions (Unit : mm)

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䇭䇭䇭䇭䇭㩷㩷㪇

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zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Parameter

Power dissipation (*1)

Junction temperature

Storage temperature

Limits

200

Symbol

Unit

㷄

150

-55 to +150

Tstg

㷄

(*1) Total of 4 elements

zElectrical characteristic (Ta=25qC, Rating of per diode)

Parameter

Zener voltage

Conditions

Symbol

V_Z

Min.

Typ.

Max.

30.09

0.5

Unit

29.19

I_Z=5mA

Reverse current

μA

㱅

㪠_㪩

V_R=23V

Iz=5mA

Z_Z

Operating resistance

200

+Zener voltage is measured with 40m current supply.

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