Datasheet > 晶体管 > IGBT> FS225R12KE3

FS225R12KE3

更新时间： 2024-11-11 12:27:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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FS225R12KE3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29
针数：	29	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.67
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	325 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X29	元件数量：	6
端子数量：	29	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	810 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

FS225R12KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS225R12KE3

-ꢀEconoPACK™+ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀHighꢀEfficiencyꢀDiodeꢀ

-ꢀEconoPACK™+ꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmConꢀHighꢀEfficiencyꢀdiodeꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_vj= 150°C

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

I_{C nom}

I_C

225

325

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

450

1150

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 225 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

2,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 9,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

2,10

3,3

16,0

0,75

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 225 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,25

0,30

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 225 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,09

0,10

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 225 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,55

0,65

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 225 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,13

0,16

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 225 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

15,0

36,0

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 225 A, V_CE= 600 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

900

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

ꢀ

0,11 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,047

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-02-28

revision:ꢀ3.1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS225R12KE3_05	EUPEC	获取价格	EconoPACK+ with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FS225R12KE3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 325A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-29
FS225R12KE4	INFINEON	获取价格	EconoPACK B-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon diode
FS225R12KE4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
FS225R12OE4	INFINEON	获取价格	暂无描述
FS225R12OE4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FS225R12OE4P	INFINEON	获取价格	TIM
FS225R12OE4PBOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
FS225R17KE3	EUPEC	获取价格	EconoPACK+ module with trench/fieldstop IGBT and EmCon3 diode
FS225R17KE3	INFINEON	获取价格	Solder Pin

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