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FS225R12KE4 PDF预览

FS225R12KE4

更新时间： 2024-11-11 11:57:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 371K
描述
EconoPACK B-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon diode

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FS225R12KE4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29针数：29
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.55
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：320 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X29元件数量：6
端子数量：29最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：600 ns
标称接通时间 (ton)：220 nsVCEsat-Max：2.15 V
Base Number Matches：1

FS225R12KE4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS225R12KE4  
EconoPACK™+ B-Serie Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter EmCon Diode  
EconoPACK™+ B-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 95°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
225  
320  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
450  
1100  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 225 A, V•Š = 15 V  
I† = 225 A, V•Š = 15 V  
I† = 225 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,85 2,15  
2,10  
2,15  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 7,80 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
1,55  
3,3  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
13,0  
0,705  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
3,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,16  
0,17  
0,18  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,04  
0,04  
0,04  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,38  
0,47  
0,50  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,07  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 225 A, V†Š = 600 V, L» = 80 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 5750 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
6,80  
12,5  
15,0  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 225 A, V†Š = 600 V, L» = 80 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3400 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
17,0  
26,5  
29,5  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 1,6 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
900  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,14 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,052  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Marco Bäßler  
date of publication: 2007-12-11  
revision: 2.0  
approved by: Wilhelm Rusche  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS225R12KE4BOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
FS225R12OE4 INFINEON

获取价格

 		暂无描述
FS225R12OE4BOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
FS225R12OE4P INFINEON

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 		TIM
FS225R12OE4PBOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
FS225R17KE3 EUPEC

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 		EconoPACK+ module with trench/fieldstop IGBT and EmCon3 diode
FS225R17KE3 INFINEON

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 		EconoPACK™ Modul mit Trench/Feldstop IGBT4
FS225R17KE4BOSA1 INFINEON

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