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FS225R17KE4 PDF预览

FS225R17KE4

更新时间： 2024-11-11 11:56:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 408K
描述
EconoPACK™ Modul mit Trench/Feldstop IGBT4 und Emitter Controlled³ Diode

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FS225R17KE4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29针数：29
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：340 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X29元件数量：6
端子数量：29最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1500 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1500 ns标称接通时间 (ton)：350 ns
VCEsat-Max：2.3 VBase Number Matches：1

FS225R17KE4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS225R17KE4  
EconoPACK™+ Modul mit Trench/Feldstop IGBT4 und Emitter Controlled³ Diode  
EconoPACK™+ module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled³ diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1700  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
225  
340  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
450  
1500  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 225 A, V•Š = 15 V  
I† = 225 A, V•Š = 15 V  
I† = 225 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,95 2,30  
2,35  
2,45  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 9,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
2,35  
2,8  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
18,5  
0,60  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
3,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,22  
0,25  
0,26  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 3,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,08  
0,085  
0,09  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 6,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,69  
0,84  
0,88  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 225 A, V†Š = 900 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 6,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,28  
0,54  
0,62  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 225 A, V†Š = 900 V, L» = 80 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 3100 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
51,0  
67,5  
72,0  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 3,3 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 225 A, V†Š = 900 V, L» = 80 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
45,5  
73,5  
83,5  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 6,2 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
1100  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,099 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,049  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Helmut Seidelmann  
approved by: Wilhelm Rusche  
date of publication: 2009-02-25  
revision: 2.0  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS225R17KE4BOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
FS225R17OE4 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
FS225R17OE4BOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
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 		Miniature Slides for High Frequency
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 		Miniature Slides for High Frequency
FS22SM10 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247VAR
FS22SM-10 MITSUBISHI

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FS22SM-10 POWEREX

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 		MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247VAR

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