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FS225R12KE3

更新时间： 2024-11-11 03:37:51

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EUPEC		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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FS225R12KE3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	ECONOPACK-29
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	325 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X29	元件数量：	6
端子数量：	29	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	810 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

FS225R12KE3 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS225R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

V_CES

1200

collector emitter voltage

225

325

I_{C, nom}

I_C

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_CRM

450

1100

+/- 20

225

450

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min

I²t

kA²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

max.

2,1

V_GE= 15V, T_vj= 25°C, I_C= I_C,nom

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter satration voltage

V_GE= 15V, T_vj= 125°C, I_C= I_C,nom

t.b.d.

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

V_CE= V_GE, T_vj= 25°C, I_C= 9mA

5,8

2,1

0,75

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_GE= 0V, T_vj= 25°C, V_CE= 600V

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cutt off current

I_CES

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: Mark Münzer

approved: Martin Hierholzer

date of publication: 2002-01-10

revision: 3

Datenblatt_FS225R12KE3_V3.xls

2002-01-10

1/8

12 3 4 5 6 7 8

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