FS10VS-12

更新时间： 2024-11-23 07:00:11

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

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FS10VS-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	TO-220S, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.94 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS10VS-12 数据手册

To all our customers

Regarding the change of names mentioned in the document, such as Mitsubishi

Electric and Mitsubishi XX, to Renesas Technology Corp.

The semiconductor operations of Hitachi and Mitsubishi Electric were transferred to Renesas

Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog

and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)

Accordingly, although Mitsubishi Electric, Mitsubishi Electric Corporation, Mitsubishi

Semiconductors, and other Mitsubishi brand names are mentioned in the document, these names

have in fact all been changed to Renesas Technology Corp. Thank you for your understanding.

Except for our corporate trademark, logo and corporate statement, no changes whatsoever have been

made to the contents of the document, and these changes do not constitute any alteration to the

contents of the document itself.

Note : Mitsubishi Electric will continue the business operations of high frequency & optical devices

and power devices.

Renesas Technology Corp.

Customer Support Dept.

April 1, 2003

12 3 4 5

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与FS10VS-12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS10VS-12-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.94ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10VS-12-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.94ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10VS14A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 700V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-263AB
FS10VS-14A	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10VS-14A	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10VS-14A-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS10VS2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-263AB
FS10VS-2	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10VS-2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10VS-2-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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