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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS10VSH-06 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VSH-06 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VSH-06-T1 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VSH-06-T2 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VSH2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| FS10VSH-2 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VSH-2-T1 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VSH-2-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VSH3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| FS10VSH-3 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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