5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS10VS-9 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS10VS-9 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS10VS-9 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
|
| FS10VS-9A | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS10VS-9A-T11 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS10VSH03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
|
| FS10VSH-03-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS10VSH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
|
| FS10VSH-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS10VSH-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
