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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220S |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS10VS-10-T2 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FS10VS12 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| FS10VS-12 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS10VS-12 | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS10VS-12 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
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| FS10VS-12-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.94ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS10VS-12-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.94ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS10VS14A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| FS10VS-14A | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS10VS-14A | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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