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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQT7N10LTF
FQT7N10LTF PDF预览

FQT7N10LTF

更新时间： 2024-11-21 12:46:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 1066K
描述
N-Channel QFET MOSFET

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FQT7N10LTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-223
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.3Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：4501
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-223-1
Samacsys Released Date：2015-04-22 06:29:12Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQT7N10LTF 数据手册

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March 2013  
FQT7N10L  
N-Channel QFET® MOSFET  
100 V, 1.7 A, 350 mΩ  
Description  
Features  
1.7 A, 100 V, RDS(on)=350 mΩ(Max.) @VGS=10 V, ID=0.85 A  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET  
is produced using Fairchild Semiconductor®’s  
proprietary planar stripe and DMOS technology. This  
advanced MOSFET technology has been especially  
tailored to reduce on-state resistance, and to provide  
superior switching performance and high avalanche  
energy strength. These devices are suitable for  
switched mode power supplies, audio amplifier, DC  
motor control, and variable switching power  
applications.  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 5.8 nC)  
Low Crss (Typ. 10 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
S
"
G
!
S
SOT-223  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQT7N10L  
100  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
1.7  
A
D
C
- Continuous (T = 70°C)  
1.36  
6.8  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
50  
mJ  
A
AS  
1.7  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.2  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
2.0  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.016  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
--  
62.5  
°C/W  
θJA  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
www.fairchildsemi.com  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQT7N10L Rev. C0  
12345678

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