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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.36 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 51 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQU10N20CTU | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，7.8 A，360 mΩ，IPAK |
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| FQU10N20TU | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFU230A | FAIRCHILD |
功能相似 |
Advanced Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU10N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQU10N20CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 200V, 7.8A, 360mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD, 50 |
|
| FQU10N20CTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，7.8 A，360 mΩ，IPAK |
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| FQU10N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQU10N20LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQU10N20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQU10N20TU | ROCHESTER |
获取价格 |
7.6A, 200V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| FQU11P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
|
| FQU11P06_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
|
| FQU11P06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel QFET® MOSFET -60V, -9.4A, 185mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD, 5 |
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