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FQT7P06D84Z

更新时间： 2024-11-21 14:50:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 684K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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FQT7P06D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：1.6 A最大漏源导通电阻：0.41 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQT7P06D84Z 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQT7P06  
60V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
-1.6A, -60V, R  
= 0.41Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 6.3 nC)  
Low Crss ( typical 25 pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
S
!
D
●
●
G!  
▶
▲
S
●
G
SOT-223  
FQT Series  
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQT7P06  
-60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
-1.6  
A
D
C
- Continuous (T = 70°C)  
-1.28  
-6.4  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
90  
mJ  
A
AS  
-1.6  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.21  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
2.1  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.017  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
--  
60  
°C/W  
θJA  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2001  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQT7P06L99Z FAIRCHILD

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