FMMTA12

更新时间： 2024-01-25 13:11:22

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管局域网
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描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS

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FMMTA12 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	1 V

FMMTA12 数据手册

FMMTA12 Not Recommended for New

Design Please Use FMMTA14

SOT23 NPN SILICON PLANAR

FMMTA12

FMMTA13

FMMTA14

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 4 - DECEMBER 1996

COMPLEMENTARY TYPES - FMMTA12 NONE

FMMTA13 FMMTA63

FMMTA14 FMMTA64

PARTMARKING DETAILS

FMMTA12 3W

FMMTA13 1M

FMMTA14 1N

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

FMMTA12

FMMTA13/14

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

300

330

°C

P_tot

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C).

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Collector-Emitter FMMTA12

Breakdown Voltage FMMTA13/14

V_(BR)CES

I_C=100µA, I_B=0*

Collector Cut-Off

Current

FMMTA12

I_CES

100

V_CB=15V, V_BE=0

Collector Cut-Off

Current

FMMTA12

FMMTA13/14

I_CBO

100

V_CB=15V, I_E=0

V_CB=30V, I_E=0

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

h_FE

100

V_EB=10V, I_C=0

Static Forward

Current Transfer

Ratio

FMMTA12

20K

10K

20K

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

FMMTA13

FMMTA14

Collector-Emitter FMMTA12

Saturation Voltage FMMTA13/14

V_CE(sat)

1.0

0.9

I_C=10mA, I_B=0.01mA

I_C=100mA, I_B=0.1mA

Base-Emitter

On Voltage

FMMTA12

FMMTA13/14

V_BE(on)

1.4

2.0

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA,V_CE=5V*

*Measured under pulsed conditions. Pulse width =300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

For typical graphs see FMMT38A datasheet

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMTA12TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA12TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA12TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA13	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
FMMTA13TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA13TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA13TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA13TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA14	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
FMMTA14TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,

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