FMMTA13

更新时间： 2024-01-25 07:15:20

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管局域网
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NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS

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FMMTA13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.48	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

FMMTA13 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 4 - DECEMBER 1996

FMMTA12

FMMTA13

FMMTA14

COMPLEMENTARY TYPES - FMMTA12 NONE

FMMTA13 FMMTA63

FMMTA14 FMMTA64

PARTMARKING DETAILS

FMMTA12 3W

FMMTA13 1M

FMMTA14 1N

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

FMMTA12

FMMTA13/14

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

300

330

°C

P_tot

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C).

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Collector-Emitter FMMTA12

Breakdown Voltage FMMTA13/14

V_(BR)CES

I_C=100µA, I_B=0*

Collector Cut-Off

Current

FMMTA12

I_CES

100

V_CB=15V, V_BE=0

Collector Cut-Off

Current

FMMTA12

FMMTA13/14

I_CBO

100

V_CB=15V, I_E=0

V_CB=30V, I_E=0

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

h_FE

100

V_EB=10V, I_C=0

Static Forward

Current Transfer

Ratio

FMMTA12

20K

10K

20K

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

FMMTA13

FMMTA14

Collector-Emitter FMMTA12

Saturation Voltage FMMTA13/14

V_CE(sat)

1.0

0.9

I_C=10mA, I_B=0.01mA

I_C=100mA, I_B=0.1mA

Base-Emitter

On Voltage

FMMTA12

FMMTA13/14

V_BE(on)

1.4

2.0

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA,V_CE=5V*

*Measured under pulsed conditions. Pulse width =300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

For typical graphs see FMMT38A datasheet

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FMMTA13TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA13TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMTA13TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
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