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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMTA42
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FMMTA42

更新时间： 2024-11-15 10:34:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
SOT23 NPN Silicon planar high voltage transistor

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FMMTA42 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.3
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.33 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

FMMTA42 数据手册

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FMMTA42  
SOT23 NPN Silicon planar high voltage transistor  
Device marking  
FMMTA42 - 3E  
Complementary types  
FMMTA92  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
FMMTA42  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
V
300  
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
300  
V
V
5
200  
Continuous collector current  
I
mA  
mW  
°C  
C
Power dissipation at T  
=25°C  
P
330  
amb  
tot  
Operating and storage temperature range  
T :T  
-55 to +150  
j
stg  
Electrical characteristics (at T  
= 25°C).  
amb  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown  
voltage  
Collector-emitter breakdown V  
voltage  
Emitter-base breakdown  
voltage  
Collector cut-off current  
V
300  
V
I =100µA, I =0  
C E  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
CBO  
(*)  
300  
6
V
V
I =1mA, I =0  
C
B
V
I =100µA, I =0  
E C  
I
I
0.1  
0.1  
µA  
µA  
µA  
µA  
V
V
V
V
V
=200V, I =0  
E
CB  
CB  
EB  
EB  
=160V, I =0  
E
Emitter cut-off current  
=6V, I =0  
EBO  
C
=4V, I =0  
C
(*)  
(*)  
Collector-emitter saturation  
voltage  
Base-emitter saturation  
voltage  
Static forward  
current transfer  
ratio  
V
V
h
0.5  
0.9  
I =20mA, I =2mA  
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
V
I =20mA, I =2mA  
C
B
(*)  
(*)  
25  
40  
40  
50  
I =1mA, V =10V  
FE  
C
CE  
I =10mA, V =10V  
C
CE  
(*)  
I =30mA, V =10V  
C
CE  
Transition frequency  
f
MHz  
pF  
I =10mA, V =20V  
T
C
CE  
f=20MHz  
Output capacitance  
C
6
V
=20V, f=1MHz  
CB  
obo  
NOTES:  
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%.  
Issue 6 - December 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
1
www.zetex.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
FMMTA42RTA ZETEX

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