FMMTA20

更新时间： 2024-01-18 08:11:05

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
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SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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FMMTA20 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.49
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

FMMTA20 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

FMMTA20

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

ISSUE 2 MARCH 1995

PARTMARKING DETAIL

FMMTA20 1C

FMMTA20R 3C

COMPLEMENTARY TYPE FMMTA70

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

100

°C

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

I_C=1mA, I_E=0

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

I_E=100mA, I_C=0

Collector Cut-Off

Current

0.1

V_CB=30V, I_E=0

µA

Static Forward

Current Transfer Ratio

h_FE

400

0.25

I_C=5mA, V_CE=10V*

I_C=10mA,I_B=1mA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

Transition

Frequency

f_T

125

MHz

I_C=5mA, V_CE=10V

f=100MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=10V, f=140kHz, I_E=0

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

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