5秒后页面跳转
FMMT722 PDF预览

FMMT722

更新时间: 2024-02-26 19:25:09
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体开关晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 440K
描述
SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS

FMMT722 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOT-23, 3 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.27
最大集电极电流 (IC):1.5 A基于收集器的最大容量:20 pF
集电极-发射极最大电压:70 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:0.625 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:0.26 VBase Number Matches:1

FMMT722 数据手册

 浏览型号FMMT722的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMMT722的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FMMT722的Datasheet PDF文件第4页 
SuperSOT  
FMMT717 FMMT718  
FMMT720 FMMT722  
FMMT723  
SOT23 PNP SILICON POWER  
(SWITCHING) TRANSISTORS  
ISSUE 3 JUNE 1996  
FEATURES  
* 625mW POWER DISSIPATION  
*
*
*
*
*
IC CONT 2.5A  
E
C
IC Up To 10A Peak Pulse Current  
Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed)  
Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ.  
Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)  
B
DEVICE TYPE  
FMMT717  
FMMT718  
FMMT720  
FMMT722  
FMMT723  
COMPLEMENT  
FMMT617  
FMMT618  
FMMT619  
–
PARTMARKING  
RCE(sat)  
717  
718  
720  
722  
723  
72mat 2.5A  
97mat 1.5A  
163mat 1.5A  
-
-
FMMT624  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
FMMT FMMT FMMT FMMT FMMT  
PARAMETER  
SYMBOL  
717  
-12  
-12  
-5  
718  
-20  
-20  
-5  
720  
722  
-70  
-70  
-5  
723  
-100  
-100  
-5  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current**  
Continuous Collector Current  
Base Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
IC  
-40  
-40  
V
-5  
V
-10  
-2.5  
-6  
-4  
-3  
-2.5  
-1  
A
-1.5  
-1.5  
-1.5  
A
IB  
-500  
625  
-55 to +150  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C* Ptot  
Operating and Storage  
Temperature Range  
Tj:Tstg  
*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic  
substrate measuring 15x15x0.6mm  
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
Spice parameter data is available upon request for these devices  
3 - 159  

与FMMT722相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT722-13 DIODES

获取价格

Transistor
FMMT722Q DIODES

获取价格

PNP, 70V, 1.5A, SOT23
FMMT722TA DIODES

获取价格

SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT722TA ZETEX

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
FMMT722TC DIODES

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
FMMT722TC ZETEX

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
FMMT723 DIODES

获取价格

SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT723 TYSEMI

获取价格

625mW power dissipation, IC Up To 10A peak pulse current
FMMT723 KEXIN

获取价格

Switching Transistor
FMMT723 ZETEX

获取价格

SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS