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FMMT734

更新时间： 2024-11-13 22:48:59

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	78K
描述
PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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FMMT734 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.25	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	15000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

FMMT734 数据手册

“SUPER SOT” SOT23 PNP SILICON

POWER DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 1 – AUGUST 1997

FMMT734

FEATURES

625mW POWER DISSIPATION

Very High h_FEat High Current (5A)

Extremely Low V_CE(sat)at High Current (1A)

COMPLEMENTARY TYPE – FMMT634

PARTMARKING DETAIL – 734

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-100

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-100

-12

Peak Pulse Current

-5

Continuous Collector Current

Power Dissipation

I_C

-800

°C

P_tot

625

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

* Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic

substrate measuring 15x15x0.6mm

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT734TA	DIODES	获取价格	POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FMMT918	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR
FMMT918TA	ZETEX	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
FMMT918TC	ZETEX	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
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FMMTA05	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
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