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FMMT722-13

更新时间: 2024-11-14 20:00:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
4页 361K
描述
Transistor

FMMT722-13 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):1.5 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):40
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.625 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

FMMT722-13 数据手册

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SuperSOT  
FMMT717 FMMT718  
FMMT720 FMMT722  
FMMT723  
SOT23 PNP SILICON POWER  
(SWITCHING) TRANSISTORS  
ISSUE 3 JUNE 1996  
FEATURES  
* 625mW POWER DISSIPATION  
*
*
*
*
*
IC CONT 2.5A  
E
C
IC Up To 10A Peak Pulse Current  
Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed)  
Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ.  
Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)  
B
DEVICE TYPE  
FMMT717  
FMMT718  
FMMT720  
FMMT722  
FMMT723  
COMPLEMENT  
FMMT617  
FMMT618  
FMMT619  
–
PARTMARKING  
RCE(sat)  
717  
718  
720  
722  
723  
72mat 2.5A  
97mat 1.5A  
163mat 1.5A  
-
-
FMMT624  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
FMMT FMMT FMMT FMMT FMMT  
PARAMETER  
SYMBOL  
717  
-12  
-12  
-5  
718  
-20  
-20  
-5  
720  
722  
-70  
-70  
-5  
723  
-100  
-100  
-5  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current**  
Continuous Collector Current  
Base Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
IC  
-40  
-40  
V
-5  
V
-10  
-2.5  
-6  
-4  
-3  
-2.5  
-1  
A
-1.5  
-1.5  
-1.5  
A
IB  
-500  
625  
-55 to +150  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C* Ptot  
Operating and Storage  
Temperature Range  
Tj:Tstg  
*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic  
substrate measuring 15x15x0.6mm  
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
Spice parameter data is available upon request for these devices  
3 - 159  

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