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FMMT734

更新时间: 2024-02-11 09:13:45
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
625mW Power Dissipation, Very high hFE at high current

FMMT734 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOT-23, 3 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.39最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):15000JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管元件材料:SILICON

FMMT734 数据手册

 浏览型号FMMT734的Datasheet PDF文件第2页 
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
s
Product specification  
FMMT734  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
Features  
3
625mW Power Dissipation  
Very high hFE at high current (5A)  
Extremely low VCE(sat) at high current (1A)  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
-0.1  
1.9  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-100  
Unit  
V
V
-100  
-12  
V
Collector current  
-800  
mA  
A
Peak collector current  
ICM  
-5  
Power dissipation  
Ptot  
625  
mW  
Operating and storage temperature range  
Tj,Tstg  
-55 to +150  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
1of 2  
4008-318-123  

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