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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> FMMT918
FMMT918 PDF预览

FMMT918

更新时间： 2024-02-03 04:18:53
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR

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FMMT918 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：3 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzBase Number Matches：1

FMMT918 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
FMMT918  
VHF/UHF TRANSISTOR  
ISSUE 2 – JANUARY 1996  
PARTMARKING DETAILS –  
3B  
E
C
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
30  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
15  
3
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
100  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
30  
15  
3
V
V
V
IC=1µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
IC=3mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=10µA, IC=0  
Collector Cut-Off Current ICBO  
0.05  
0.4  
VCB=15V, IE=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
V
IC=10mA, IB=1mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=3mA, VCE=1V  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.0  
V
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
20  
Transition Frequency  
fT  
600  
MHz  
IC=4mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
3.0  
1.7  
pF  
pF  
VCB=0V, f=1MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
Input Capacitance  
Noise Figure  
Cibo  
N
1.6  
6.0  
pF  
dB  
VEB=0.5V,f=1MHz  
VCE=6V, IC=1mA  
f=60MHz, RG=400Ω  
Common Emitter  
Power Gain  
Gpe  
15  
dB  
VCB=12V, IC=6mA  
f=200MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 168  
1

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