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FMMT723-13

更新时间： 2024-11-14 19:54:55

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4页	455K
描述
Transistor

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FMMT723-13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	250
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

FMMT723-13 数据手册

SuperSOT

FMMT717 FMMT718

FMMT720 FMMT722

FMMT723

SOT23 PNP SILICON POWER

(SWITCHING) TRANSISTORS

ISSUE 3 JUNE 1996

FEATURES

* 625mW POWER DISSIPATION

I_CCONT 2.5A

I_CUp To 10A Peak Pulse Current

Excellent h_feCharacteristics Up To 10A (pulsed)

Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ.

Exhibits extremely low equivalent on-resistance; R_CE(sat)

DEVICE TYPE

FMMT717

FMMT718

FMMT720

FMMT722

FMMT723

COMPLEMENT

FMMT617

FMMT618

FMMT619

PARTMARKING

R_CE(sat)

717

718

720

722

723

72mΩ at 2.5A

97mΩ at 1.5A

163mΩ at 1.5A

FMMT624

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

FMMT FMMT FMMT FMMT FMMT

PARAMETER

SYMBOL

717

-12

-5

718

-20

-5

720

722

-70

-5

723

-100

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current**

Continuous Collector Current

Base Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

I_C

-40

-5

-10

-2.5

-6

-4

-3

-2.5

-1

-1.5

I_B

-500

625

-55 to +150

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C* P_tot

Operating and Storage

Temperature Range

T_j:T_stg

*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic

substrate measuring 15x15x0.6mm

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

3 - 159

12 3 4

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FMMT723TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
FMMT723TA	DIODES	获取价格	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
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