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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T5 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 130 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FMM5007VF | EUDYNA |
获取价格 |
Ku Band Power Amplifier MMIC |
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| FMM5010VF | EUDYNA |
获取价格 |
GaAs MMIC |
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| FMM5017VF | FUJITSU |
获取价格 |
GaAs MMIC |
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| FMM5020MU | ETC |
获取价格 |
RF Amplifier |
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| FMM5021MU | ETC |
获取价格 |
Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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| FMM5024ML | ETC |
获取价格 |
RF Amplifier |
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| FMM5025ML | ETC |
获取价格 |
Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
|
| FMM5026ML | ETC |
获取价格 |
Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
|
| FMM5027VJ | EUDYNA |
获取价格 |
MMIC Power Amplifier |
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| FMM5046VF | FUJITSU |
获取价格 |
GaAs MMIC |
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