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FMM5046VF

更新时间： 2024-11-10 21:55:51

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富士通 - FUJITSU		射频微波高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	115K
描述
GaAs MMIC

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FMM5046VF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLNG,.53"H.SPACE
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.29
构造：	COMPONENT	增益：	29 dB
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	功能数量：	1
最大工作频率：	2300 MHz	最小工作频率：	1700 MHz
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装等效代码：	FLNG,.53"H.SPACE
电源：	10,-5 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	技术：	GAAS
最大电压驻波比：	1.5	Base Number Matches：	1

FMM5046VF 数据手册

FMM5046VF

GaAs MMIC

FEATURES

• High Output Power: 36dBm (typ.)

• High Linear Gain: 30dB (typ.)

• Low Input VSWR

• Small Hermetic Metal-Ceramic Package (VF)

DESCRIPTION

The FMM5046VF is a MMIC amplifier designed for PCS/PCN

and W-CDMA applications as a driver or output stage in the

1.7 to 2.3GHz band. The output stage is partially matched

for this device.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)

Item

Symbol

Rating

Unit

DC Input Voltage

-7

DC Input Voltage

Input Power

dBm

°C

Storage Temperature

Operating Case Temperature

-55 to +125

-40 to +70

stg

°C

Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs modules:

1. The drain operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.

2. The gate operating voltage (V

) should not exceed -5 volts.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25°C)

Limit

Unit

Item

Symbol

Test Conditions

Min.

Max.

Typ.

Frequency Range

2.2

GHz

Output Power at 1dB G.C.P.

Linear Gain

35.0 36.0

29.0 30.0

dBm

1dB

= 10V

= -5V

Input VSWR

VSWRi

1.5:1

1.1

f = 2.2GHz

DC Input Current

CASE STYLE: VF

G.C.P.: Gain Compression Point

Edition 1.5

November 2001

12 3 4

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