FMM5017VF

更新时间： 2024-11-10 21:55:51

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富士通 - FUJITSU		射频微波
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4页	93K
描述
GaAs MMIC

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FMM5017VF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLNG,.53"H.SPACE
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18 dB	最大输入功率 (CW)：	17 dBm
最大工作频率：	14500 MHz	最小工作频率：	14000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装等效代码：	FLNG,.53"H.SPACE
电源：	10,-5 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	技术：	GAAS
最大电压驻波比：	3	Base Number Matches：	1

FMM5017VF 数据手册

FMM5017VF

GaAs MMIC

FEATURES

• High Output Power: 29dBm (typ.)

• High Linear Gain: 20dB (typ.)

• Low In/Out VSWR

• Integrated Output Power Monitor

• Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω

• Small Hermetic Metal-Ceramic Package (VF)

DESCRIPTION

The FMM5017VF is a MMIC amplifier designed for VSAT applications

as a driver or output stage in the 14.0 to 14.5 GHz band. This device

is well suited for designs that require less than 1 Watt and lower cost.

Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest

reliability and consistent performance.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)

Item

Symbol

Rating

Unit

DC Input Voltage

-7

DC Input Voltage

Input Power

dBm

°C

Storage Temperature

Operating Case Temperature

-55 to +125

-40 to +85

stg

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)

Limit

Unit

Item

Symbol

Test Conditions

Min.

Max.

Typ.

Frequency Range

14.0

14.5

GHz

dBm

Output Power at 1dB G.C.P.

28.0 29.0

18.0 20.0

1dB

Linear Gain

= 10V

= -5V

Gain Flatness

Input VSWR

Output VSWR

Power Monitor

∆G

1.0

2:1

1.5

f = 14.0 to 14.5 GHz

2.3:1

VSWRi

VSWRo

Vmon

2.3:1

2.5

3:1

Pout = 28.0dBm

DC Input Current

700 1000

15 20

= 10V

= -5V

DC Input Current

CASE STYLE: VF

Edition 1.1

August 1999

12 3 4

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