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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMBSA56
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FMBSA56

更新时间： 2024-11-22 21:53:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 89K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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FMBSA56 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SUPERSOT-6, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

FMBSA56 数据手册

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FMBSA56  
NC  
PNP General Purpose Amplifier  
C1  
•
This device is designed for general purpose amplifier applications at  
collector currents to 300 mA.  
E
•
Sourced from Process 73.  
B
C
C
pin #1  
SuperSOTTM-6 single  
Mark: .2G1  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-80  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
-80  
V
CBO  
EBO  
-4.0  
-500  
V
I
- Continuous  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Sustaining Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
= -1.0mA, I = 0  
-80  
-80  
-4.0  
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CEO  
C
B
IC = -100µA, IE = 0  
= -100µA, I = 0  
I
V
E
C
I
I
V
V
= -60V, I = 0  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
CE  
CB  
B
Collector Cut-off Current  
= -80V, I = 0  
E
CBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
= -10mA, V = -1.0V  
100  
100  
FE  
C
C
CE  
= -100mA, V = -1.0V  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= -100mA, I = -10mA  
-0.25  
-1.2  
V
V
CE(sat)  
BE(on)  
C
C
B
= -100mA, V = -1.0V  
CE  
Small Signal Characteristics  
Current Gain Bandwidth Product  
f
I
= -10mA, V = -2.0V,  
50  
MHz  
T
C
CE  
f = 100MHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Total Device Dissipation *  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, total  
Max.  
700  
180  
Units  
P
mW  
D
R
°C/W  
θJA  
* Device mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2004  
12345

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FMBSA56 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMBA56 FAIRCHILD

完全替代

 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

与FMBSA56相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMBSS84 FORMOSA

获取价格

 		50V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
FMBT1015 FCI

获取价格

 		PNP Epitaxial Planar Transistor Collector - Emitter Voltage VCEO
FMBT1815 FCI

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FMBT2222 FORMOSA

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 		600mA Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor
FMBT2222A FCI

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 		Transistor
FMBT2222A-L FCI-CONNECTOR

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 		Transistor
FMBT2907 FORMOSA

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 		600mA General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor
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 		600mA General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor
FMBT3904 FCI

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 		NPN General Purpose Transistor Collector - Emitter Voltage VCEO

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