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FMB3904D84Z

更新时间： 2024-11-14 15:32:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SUPERSOT-6

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FMB3904D84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.23	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	175 ns	最大开启时间（吨）：	38 ns
Base Number Matches：	1

FMB3904D84Z 数据手册

FMB3904

FFB3904

MMPQ3904

SC70-6

Mark: .1A

pin #1

NOTE: The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin

4 are interchangeable. Units inside the carrier can

be of either orientation and will not affect the

functionality of the device.

pin #1

SOIC-16

Mark: MMPQ3904

SuperSOT -6

Mark: .1A

Dot denotes pin #1

NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier

This device is designed as a general purpose amplifier and switch.

The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to

100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23.

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current - Continuous

200

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

Thermal Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

FFB3904

FMB3904

MMPQ3904

P_D

R_θJA

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Effective 4 Die

300

2.4

415

700

5.6

180

1,000

8.0

mW/°C

°C/W

125

240

Each Die

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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