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FMB49N20T2

更新时间: 2024-11-11 20:11:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
22页 448K
描述
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 200V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD,TPACK-3

FMB49N20T2 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.76雪崩能效等级(Eas):582.5 mJ
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):49 A最大漏源导通电阻:0.047 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):196 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FMB49N20T2 数据手册

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SPECIFICATION  
Device Name  
:
Power MOSFET  
FMI49N20T2 (T-pack L)  
FMC49N20T2 (T-pack S)  
FMB49N20T2 (T-pack SJ)  
Type Name:  
Spec. No.  
Date  
:
:
MS5F6124  
Jun.-17-2005  
NAME  
APPROVED  
DATE  
Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.  
DRAWN  
Jun.-17-'05  
Jun.-17-'05  
a
CHECKED  
MS5F6124  
1 / 22  
CHECKED Jun.-17-'05  
H04-004-05  

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