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FMB5551 PDF预览

FMB5551

更新时间： 2024-09-25 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
NPN General Purpose Amplifier SuperSOT-6 Surface Mount Package

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FMB5551 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.5
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

FMB5551 数据手册

 浏览型号FMB5551的Datasheet PDF文件第2页 
FMB5551  
C2  
NPN General Purpose Amplifier  
E1  
SuperSOT-6 Surface Mount Package  
C1  
•
This device is designed for general purpose high voltage amplifiers  
and gas discharge display driving.  
•
•
Sourced from process 16.  
See MMBT5551 for characteristics.  
B2  
E2  
B1  
SuperSOT-6  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
160  
180  
6
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
CEO  
V
CBO  
EBO  
V
I
600  
0.7  
mA  
W
C
P
Collector Dissipation (T =25°C) *  
C
a
T
T
Junction Temperature  
150  
°C  
J
Storage Temperature Range  
- 55 ~ 150  
180  
°C  
STG  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
°C/W  
θJA  
* Pd total, for both transistors. For each transistor, Pd = 350mW.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
I
I
I
= 1mA  
160  
180  
6
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
C
E
= 10µA  
= 10µA  
I
Collector Cut-off Current  
V
V
= 120V  
= 120V, T = 100°C  
50  
50  
nA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
I
Emitter Cut-off Current  
V
= 4V  
50  
nA  
EBO  
EB  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
V
= 5V, I = 1mA  
80  
80  
30  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 10mA  
250  
C
= 5V, I = 50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 10mA, I = 1mA  
0.15  
0.2  
V
V
CE  
C
C
B
= 50mA, I = 5mA  
B
I
I
= 10mA, I = 1mA  
1
1
BE  
C
C
B
= 50mA, I = 5mA  
B
Small Signal Characteristics  
TYPICAL  
C
C
Output Capacitance  
V
V
V
= 10V, f = 1MHz  
= 0.5V, f = 1MHz  
6
pF  
pF  
ob  
ib  
CB  
CB  
CE  
Input Capacitance  
20  
f
Current gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 10mA  
100  
50  
300  
MHz  
T
C
f = 100MHz  
NF  
Noise Figure  
V
= 5V, I = 200µA  
8
dB  
CE  
C
f = 1MHz, R = 2kΩ, B = 200Hz  
S
h
Small Signal Current Gain  
V
= 10V, I = 1mA  
250  
FE  
CE  
C
f = 1KHz  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, January 2002  
12

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FMB5551 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMB5551 ONSEMI

功能相似

 NPN通用放大器

与FMB5551相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMB5551_04 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN General Purpose Amplifier SuperSOT-6 Surface Mount Package
FMB5551_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SUPERS
FMB67.000 FOX

获取价格

 		Quartz Crystal
FMB-67.000MHZ-AAD00030 FOX

获取价格

 		Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 4 PIN
FMB-67.000MHZ-AAD10030 FOX

获取价格

 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 4 PIN
FMB6D0104J02L KYOCERA AVX

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