是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP28,.4 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 0.69 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 140 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 17.9 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 8 | 混合内存类型: | N/A |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP28,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
电源: | 2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.65 mm | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.008 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FM28V020-SGTR | CYPRESS |
完全替代 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM25V05-GTR | CYPRESS |
功能相似 |
512Kb Serial 3V F-RAM Memory |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FM28V020-SGTR | RAMTRON |
获取价格 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-SGTR | CYPRESS |
获取价格 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-SGTR | INFINEON |
获取价格 |
铁电存储器 (F-RAM) | |
FM28V020-T28G | CYPRESS |
获取价格 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-T28GTR | CYPRESS |
获取价格 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TG | CYPRESS |
获取价格 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TG | RAMTRON |
获取价格 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TG | INFINEON |
获取价格 |
铁电存储器 (F-RAM) | |
FM28V020-TGTR | RAMTRON |
获取价格 |
256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TGTR | CYPRESS |
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256Kbit Bytewide F-RAM Memory |