是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 1.4 | 最长访问时间: | 140 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 8 |
混合内存类型: | N/A | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.008 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FM28V020-TGTR | CYPRESS |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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FM28V020-TGTR | CYPRESS |
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铁电存储器 (F-RAM) | |
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FM28V100_10 | RAMTRON |
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FM28V100-TG | RAMTRON |
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