5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FM28V202A-TG
FM28V202A-TG PDF预览

FM28V202A-TG

更新时间： 2024-10-02 21:08:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 371K
描述
Memory Circuit, 128KX16, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

FM28V202A-TG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSOP2,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.18
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e4
长度：18.415 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1.194 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

FM28V202A-TG 数据手册

 浏览型号FM28V202A-TG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FM28V202A-TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM28V202A-TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM28V202A-TG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM28V202A-TG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM28V202A-TG的Datasheet PDF文件第7页 
FM28V202A  
2-Mbit (128 K × 16) F-RAM Memory  
2-Mbit (128  
K × 16) F-RAM Memory  
■ Industrial temperature: –40 C to +85 C  
Features  
■ 44-pin thin small outline package (TSOP) Type II  
■ 2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically  
organized as 128 K × 16  
■ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant  
❐ Configurable as 256 K × 8 using UB and LB  
❐ High-endurance 100 trillion (1014) read/writes  
Functional Overview  
❐ 151-year data retention (see the Data Retention and  
Endurance table)  
❐ NoDelay™ writes  
❐ Page mode operation to 30-ns cycle time  
❐ Advanced high-reliability ferroelectric process  
The FM28V202A is a 128 K × 16 nonvolatile memory that reads  
and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random  
access memory or F-RAM is nonvolatile, which means that data  
is retained after power is removed. It provides data retention for  
over 151 years while eliminating the reliability concerns,  
functional disadvantages, and system design complexities of  
battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high  
write endurance make the F-RAM superior to other types of  
memory.  
■ SRAM compatible  
❐ Industry-standard 128 K × 16 SRAM pinout  
❐ 60-ns access time, 90-ns cycle time  
■ Advanced features  
❐ Software-programmable block write-protect  
The FM28V202A operation is similar to that of other RAM  
devices and therefore, it can be used as a drop-in replacement  
for a standard SRAM in a system. Read cycles may be triggered  
by CE or simply by changing the address and write cycles may  
be triggered by CE or WE. The F-RAM memory is nonvolatile  
due to its unique ferroelectric memory process. These features  
make the FM28V202A ideal for nonvolatile memory applications  
requiring frequent or rapid writes.  
■ Superior to battery-backed SRAM modules  
❐ No battery concerns  
❐ Monolithic reliability  
❐ True surface mount solution, no rework steps  
❐ Superior for moisture, shock, and vibration  
■ Low power consumption  
❐ Active current 7 mA (typ)  
❐ Standby current 120 A (typ)  
The device is available in a 400-mil, 44-pin TSOP-II surface  
mount package. Device specifications are guaranteed over the  
industrial temperature range –40 °C to +85 °C.  
For a complete list of related documentation, click here.  
■ Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V  
Logic Block Diagram  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
A
16-2  
A
16-0  
A
1-0  
. . .  
CE  
Column Decoder  
WE  
DQ  
15-0  
Control  
UB, LB  
I/O Latch & Bus Driver  
Logic  
OE  
ZZ  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-90309 Rev. *G  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised April 20, 2017  
1234567...22

中文翻译

下载PDF

FM28V202A-TG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FM28V202A-TGTR CYPRESS

完全替代

 Memory Circuit, 128KX16, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

与FM28V202A-TG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM28V202A-TGTR CYPRESS

获取价格

 		Memory Circuit, 128KX16, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
FM28V202A-TGTR INFINEON

获取价格

 		铁电存储器 (F-RAM)
FM28V202-TG CYPRESS

获取价格

 		2Mbit (128Kx16)F-RAM Memory
FM28V202-TGTR CYPRESS

获取价格

 		2Mbit (128Kx16)F-RAM Memory
FM290 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COM
FM290A RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COM
FM290-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COM
FM2981 ETC

获取价格

 		High Power Motorcycle Ignition Controller
FM2A100ME110A00CE0 HWE

获取价格

 		小型铝电
FM2A101MI200A00CE0 HWE

获取价格

 		小型铝电

与FM28V202A-TG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证