是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.62 |
最长访问时间: | 140 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 8 | 混合内存类型: | N/A |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00015 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FM28V020-T28GTR | CYPRESS |
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256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TG | CYPRESS |
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256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TG | RAMTRON |
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256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TG | INFINEON |
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铁电存储器 (F-RAM) | |
FM28V020-TGTR | RAMTRON |
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256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TGTR | CYPRESS |
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256Kbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V020-TGTR | INFINEON |
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铁电存储器 (F-RAM) | |
FM28V100 | RAMTRON |
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1Mbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V100_10 | RAMTRON |
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1Mbit Bytewide F-RAM Memory | |
FM28V100_13 | CYPRESS |
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1Mbit Bytewide F-RAM Memory |