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FLK012WF

更新时间： 2024-01-27 02:27:33

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE WF, 3 PIN

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FLK012WF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-MDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	1.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FLK012WF 数据手册

FLK012WF

X-Ku Band Power GaAs FETs

+j50

+90˚

2.0

+j100

+j25

1.6

1.2

0.8

13 14

+j250

+j10

8 GHz

0.4

50W

100

250

0.2

0.1

180˚

0°

SCALE FOR |S

-j10

-j250

8 GHz

-j25

-j100

-j50

-90˚

S-PARAMETERS

= 10V, I

= 40mA

S21

FREQUENCY

(MHZ)

S11

S12

S22

MAG

ANG

MAG

ANG

MAG

ANG

MAG

ANG

500

1000

.992

.985

.804

.793

.770

.755

.745

.726

.684

.617

.535

-13.0

-25.1

2.474

2.454

1.566

1.447

1.335

1.237

1.170

1.129

1.094

1.078

1.074

167.9

156.7

15.8

.007

.014

.037

.035

.033

.031

.030

.033

.037

.044

.056

78.0

69.9

.797

.794

.760

.785

.797

.804

.814

.838

.864

.875

.866

-8.6

-16.2

8000

-173.9

169.8

154.9

140.6

127.3

113.6

99.8

-23.4

-28.1

-37.5

-43.7

-51.4

-64.1

-80.4

-119.1

-132.5

-145.4

-158.0

-169.4

-180.0

170.3

159.8

149.0

9000

-1.7

10000

11000

12000

13000

14000

15000

16000

-18.1

-33.5

-48.6

-64.4

-80.6

-97.9

-116.4

83.8

-102.9

-126.5

65.7

Data Sheets

1998 Microwave Databook

254

1 234

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