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FLK102XV

更新时间: 2024-11-21 21:19:43
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 214K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET

FLK102XV 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY最小漏源击穿电压:10 V
FET 技术:HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带:KU BAND
JESD-30 代码:R-XUUC-N8端子数量:8
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:7.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET RF Small Signal表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

FLK102XV 数据手册

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