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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MDFM-F2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-MDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FLK012XP | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electr |
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| FLK017WF | EUDYNA | X, Ku Band Power GaAs FET |
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| FLK017XP | EUDYNA | GaAs FET & HEMT Chips |
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| FLK022WG | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| FLK022XP | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electr |
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| FLK022XV | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electr |
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