5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最小漏源击穿电压： | 10 V |
| FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N6 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET RF Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FLK017WF | EUDYNA | X, Ku Band Power GaAs FET |
获取价格 |
|
| FLK017XP | EUDYNA | GaAs FET & HEMT Chips |
获取价格 |
|
| FLK022WG | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
获取价格 |
|
| FLK022XP | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electr |
获取价格 |
|
| FLK022XV | FUJITSU | RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electr |
获取价格 |
|
| FLK027WG | EUDYNA | X, Ku Band Power GaAs FET |
获取价格 |
|
可控硅触发板选型指南
蓝白可调电位器的原理与使用特点解析
网络滤波器、EMI滤波器与EMC滤波器：分类关系与功能详解
NTC热敏电阻与PTC热敏电阻的应用原理及应用范围
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
