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FJY3013R

更新时间： 2024-11-24 03:36:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 295K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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FJY3013R 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

FJY3013R 数据手册

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November 2006  
FJY3013R  
tm  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R1=2.2KΩ, R2=47KΩ)  
Complement to FJY4013R  
Eqivalent Circuit  
C
C
S13  
E
B
E
B
SOT - 523F  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
50  
50  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
10  
V
I
Collector Current  
100  
mA  
°C  
C
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
-55~150  
150  
°C  
P
Collector Power Dissipation, by RθJA  
200  
mW  
C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max  
Units  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
600  
°C/W  
* Minimum land pad size.  
Electrical Characteristics*  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
ICBO  
Parameter  
Test Condition  
MIN  
Typ MAX  
Units  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Cutoff Current  
DC Current Gain  
IC = 10 uA, IE = 0  
50  
50  
V
V
IC = 100 uA, IB = 0  
VCB = 40 V, IE = 0  
0.1  
uA  
hFE  
VCE = 5 V, IC = 5 mA  
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA  
VCE = 10V, IC = 5 mA  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
VCE = 5 V, IC = 100uA  
VCE = 0.2V, IC = 5mA  
56  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain - Bandwidth Product  
Output Capacitance  
0.3  
V
MHz  
pF  
V
250  
3.7  
Ccb  
VI(off)  
Input Off Voltage  
0.5  
VI(on)  
R1  
Input On Voltage  
1.1  
V
Input Resistor  
1.5  
2.2  
2.9  
KΩ  
R1/R2  
Resistor Ratio  
0.042  
0.047  
0.052  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJY3013R Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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