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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJX4009RTF
FJX4009RTF PDF预览

FJX4009RTF

更新时间： 2024-09-27 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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FJX4009RTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.53
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

FJX4009RTF 数据手册

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FJX4009R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
3
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R=4.7KΩ)  
Complement to FJX3009R  
2
1
SOT-323  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
S59  
R
B
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-40  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-100  
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-40  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -1mA, I =0  
-40  
C
B
I
V
= -30V, I =0  
-0.1  
600  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -1mA  
100  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -1mA  
V
CE  
C
B
C
V
= -10V, I =0  
5.5  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Input Resistor  
V
= -10V, I = -5mA  
200  
4.7  
MHz  
T
CE  
C
R
3.2  
6.2  
KΩ  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
1234

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