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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJX733
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FJX733

更新时间： 2024-02-16 02:19:44
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Low Frequency Amplifier

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FJX733 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

FJX733 数据手册

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FJX733  
3
Low Frequency Amplifier  
•
•
Collector-Base Voltage V  
Complement to FJX945  
= -60V  
CBO  
2
1
SOT-323  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-50  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-150  
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-60  
-50  
- 5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA. I =0  
C
B
I
= -10. I =0  
V
E
C
I
I
V
V
V
= -25V, I =0  
-100  
-100  
700  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
= -3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -6V, I = -1mA  
40  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -100mA, I = -10mA  
-0.18  
-0.62  
180  
-0.3  
V
V
CE  
C
B
V
= -6V, I = -1mA  
-0.50  
50  
-0.80  
BE  
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
= -6V, I = -10mA  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I = 0  
2.8  
ob  
E
f=1MHz  
NF  
Noise Figure  
V
= -6V, I = -0.3mA  
6.0  
20  
dB  
CE  
C
f=1MHz, Rs=10K  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
G
200 ~ 400  
L
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
350 ~ 700  
FE  
Marking  
SBX  
Grade  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B2, August 2002  
1234

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