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FJX945YTF PDF预览

FJX945YTF

更新时间： 2024-02-22 23:01:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SC70, EIAJ SC-70, 1.25MM WIDE, 3000/TAPE REEL

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FJX945YTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.46
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

FJX945YTF 数据手册

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FJX945  
Audio Frequency Amplifier  
High Frequency OSC.  
3
•
•
•
Collector-Base Voltage V  
=60V  
CBO  
High Current Gain Bandwidth Product f =300MHz (Typ)  
T
2
Complement to FJX733  
1
SOT-323  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
200  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
I =100µA, I =0  
Min.  
60  
50  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.1  
700  
0.3  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=6V, I =1.0mA  
70  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =100mA, I =10mA  
0.15  
300  
2.5  
V
CE  
C
B
f
V
=6V, I =10mA  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=6V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1MHz  
NF  
Noise Figure  
V
=6V, I = -0.5mA  
4.0  
dB  
CE  
E
f=1KHz, R =500Ω  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
200 ~ 400  
L
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
350 ~ 700  
FE  
Marking  
SAX  
Grade  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B2, April 2004  
1234

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FJX945YTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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