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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJY3011R
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FJY3011R

更新时间： 2024-02-20 14:00:21
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 285K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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FJY3011R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.53Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

FJY3011R 数据手册

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November 2006  
FJY3011R  
tm  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R=22KΩ)  
Complement to FJY4011R  
Eqivalent Circuit  
C
C
S11  
E
B
E
B
SOT - 523F  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5
V
I
Collector Current  
100  
-55~150  
150  
200  
mA  
°C  
C
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
°C  
P
Collector Power Dissipation, by RθJA  
mW  
C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max  
Units  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
600  
°C/W  
* Minimum land pad size.  
Electrical Characteristics*  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
ICBO  
Parameter  
Test Condition  
MIN  
Typ MAX  
Units  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Cutoff Current  
IC = 100 uA, IE = 0  
40  
40  
V
V
IC = 1mA, IB = 0  
VCB = 30 V, IE = 0  
0.1  
uA  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 5 V, IC = 1 mA  
IC = 10 mA, IB = 1 mA  
VCE = 10V, IC = 5 mA  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
100  
15  
600  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain - Bandwidth Product  
Output Capacitance  
0.3  
V
250  
3.7  
MHz  
pF  
Ccb  
R
Input Resistor  
22  
29  
KΩ  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJY3011R Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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