FJX992TF

更新时间： 2024-02-26 20:15:48

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管光电二极管
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6页	216K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP

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FJX992TF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.28
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.235 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

FJX992TF 数据手册

August 2010

FJX992

PNP Audio Frequency Low Noise Amplifier

Features

• High Voltage : V_CEO= -120V

• Excellent h_FELinearity

• High h_FE

: h_FE= 200~700

SOT-323

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings* T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Value

-120

Units

Collector-Base Voltage

-120

Emitter-Base Voltage

-5

Collector Current

-100

°C

_{J ,}T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle

operations.

Thermal Characteristics T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Total Device Dissipation

Max.

Units

P_D

235

Derate above T_a= 25°C

1.88

mW/°C

R_θja

Thermal Resistance, Junction to Ambient

530

°C/W

FJX992 Rev. A0

www.fairchildsemi.com

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