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FJX4013RTF PDF预览

FJX4013RTF

更新时间： 2024-01-17 04:47:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 31K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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FJX4013RTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.53其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

FJX4013RTF 数据手册

 浏览型号FJX4013RTF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FJX4013RTF的Datasheet PDF文件第3页 
FJX4013R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
3
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R =2.2KΩ, R =47KΩ)  
1
2
Complement to FJX3013R  
2
1
SOT-323  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
R1  
B
S63  
R2  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-50  
V
CEO  
EBO  
-10  
V
I
-100  
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I = -10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -100µA, I =0  
-50  
C
B
I
V
= -40V, I =0  
-0.1  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -5mA  
68  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -0.5mA  
V
CE  
C
B
f
V
= -10V, I =-5mA  
200  
5.5  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
= -10V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1.0MHz  
V (off)  
Input Off Voltage  
Input On Voltage  
Input Resistor  
V
V
= -5V, I = -100µA  
-0.5  
V
V
I
CE  
CE  
C
V (on)  
= -0.2V, I = -10mA  
-1.1  
2.9  
I
C
R
1.5  
2.2  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.042  
0.047  
0.052  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, August 2002  
123

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FJX4013RTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDTA123TUA-7-F DIODES

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